Исследование гетероструктур на основе оксида гафния
- Авторы: Шарифуллина Я.И.1, Гумарова И.И.1,2, Мамин Р.Ф.1,2, Недопекин О.В.1
- 
							Учреждения: 
							- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Казанский (Приволжский) федеральный университет”
- Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского – обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр Российской академии наук”
 
- Выпуск: Том 87, № 4 (2023)
- Страницы: 580-586
- Раздел: Статьи
- URL: https://rjpbr.com/0367-6765/article/view/654439
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676522701034
- EDN: https://elibrary.ru/MDCZEP
- ID: 654439
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Представлены результаты ab initio расчетов объемных структур и тонких пленок оксида гафния, а также гетероструктур на основе оксида гафния в тетрагональной фазе и кремния. Изучены их структурные и электронные свойства. Рассмотрены спектры плотности состояний, проведен анализ полученных результатов, а также выполнено сравнение некоторых из них с ранее полученными данными (для изученных систем).
Об авторах
Я. И. Шарифуллина
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Казанский (Приволжский) федеральный университет”
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: janesharifullina@yandex.ru
				                					                																			                												                								Россия, Казань						
И. И. Гумарова
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Казанский (Приволжский) федеральный университет”; Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского – обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр
“Казанский научный центр Российской академии наук”
														Email: janesharifullina@yandex.ru
				                					                																			                												                								Россия, Казань; Россия, Казань						
Р. Ф. Мамин
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Казанский (Приволжский) федеральный университет”; Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского – обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр
“Казанский научный центр Российской академии наук”
														Email: janesharifullina@yandex.ru
				                					                																			                												                								Россия, Казань; Россия, Казань						
О. В. Недопекин
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования“Казанский (Приволжский) федеральный университет”
														Email: janesharifullina@yandex.ru
				                					                																			                												                								Россия, Казань						
Список литературы
- Gritsenko V.A., Perevalov T.V., Islamov D.R. // Phys. Reports. 2016. V. 613. P. 1.
- Song Ch., Kwon H. // Electronics. 2021. V. 10. Art. No. 2759.
- Воротилов К.А., Сигов А.С. // Нано- и микросист. техника. 2008. Т. 10. С. 30.
- Ishiwara H. // J. Nanosci. Nanotech. 2012. V. 12. Art. No. 7619-27.
- Mikolajick T., Slesazeck S., Mulaosmanovic H. et al. // J. Appl. Phys. 2021. V. 129. Art. No. 100901.
- Tsymbal E., Dagotto E., Eom C., Ramesh R. // In: Multifunctional oxide heterostructures. Oxford: Oxford University Press, 2012. P. 340.
- Sugibuchi K., Kurogi Y., Endo N. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 2877.
- Muller J., Polakowski P., Muller S. et al. // Proc. NVMTS (Pittsburgh, 2016). P. 1.
- Mo F., Tagawa Y., Jin C. et al. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2019. V. 11. P. 1.
- Zacharaki C., Tsipas P., Chaitoglou S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 114. Art. No. 112901.
- Lee Y., Son S., Ham W., Ahn S. // Materials. 2022. V. 15. Art. No. 2251.
- Chanthbouala A, Crassous A., Garcia V. et al. // Nature Nanotech. 2012. V. 7. P. 101.
- Garcia V., Fusil S., Bouzehouane K. et al. // Nature. 2009. V. 460. P. 81.
- Wang P., Yu S. // MRS Commun. 2020. V. 10. P. 538.
- Böscke T., Müller J., Bräuhaus D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. Art. No. 102903.
- Kisi E.H., Howard C.J. // Key Engin. Mater. 1998. V. 153. P. 1.
- Huan T.D., Sharma V., Rossetti G.A., Ramprasad R. // Phys. Rev. B. 2014. V. 90. Art. No. 064111.
- Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. № 18. Art. No. 3865.
- Robertson J., Wallace R.M. // Mater. Sci. Engin. R. 2015. V. 88. P. 1.
- Afanas’ev V.V., Stesmans A., Chen F. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. Art. No. 1053.
- Adelmann C., Sriramkumar V., Van Elshocht S. et al. // J. Appl. Phys. 2007. V. 91. Art. No. 162902.
- Kresse G., Furthmüller J. // Comp. Mater. Sci. 1996 V. 6. No. 1. P. 15.
- Kresse G., Furthmüller J. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. No. 16. Art. No. 11169.
- Kresse G., Joubert D. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. No. 3. Art. No. 1758.
- MedeA version 3.4. San Diego: Materials Design Inc., 2012.
- Laudadio E., Stipa P., Pierantoni L. et al. // Crystals. 2022. V. 12. P. 2.
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 





