NANOTRANSISTORS
| Шығарылым | Атауы | Файл | |
| Том 54, № 2 (2025) | Effect of boundary roughness on the variability of the I-V data of silicon field-effect GAA nanotransistors |
 (Rus) |
|
| Masalsky N. | |||
| Нәтижелер 1 - 1/1 | |||
Пайдаланушы
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
bipolar transistor
dissociation
etching
fluorine atoms
gas temperature
ionization
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
plasma
polymerization
powerful LDMOS
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
testing
Ағымдағы шығарылым
Том 54, № 3 (2025)
×
Пайдаланушы
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
bipolar transistor
dissociation
etching
fluorine atoms
gas temperature
ionization
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
plasma
polymerization
powerful LDMOS
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
testing
Ағымдағы шығарылым