Отправить статью по E-mail 
Ядерно-сканирующий микрозонд в исследовании эпислоев карбида кремния
- Авторы: Бузоверя М.Э.1, Карпов И.А.1, Архипов А.Ю.1, Скворцов Д.А.2, Неверов В.А.2, Мамин Б.Ф.2
-
Учреждения:
- Федеральное государственное унитарное предприятие Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
- Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарёва
- Выпуск: Том 88, № 8 (2024)
- Страницы: 1287-1292
- Раздел: Фундаментальные вопросы и приложения физики атомного ядра
- URL: https://rjpbr.com/0367-6765/article/view/676758
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524080201
- EDN: https://elibrary.ru/OPKVCM
- ID: 676758
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Обсуждаются результаты исследования поверхностей образцов гомоэпитаксиальных слоев 4H-SiC методом ядерно-сканирующего микрозонда в режиме обратного резерфордовского рассеяния. Анализ состояния поверхностей образцов, и режимов синтеза показал, что увеличение содержания кремния в верхних слоях некоторых образцов предшествует формированию высокодефектных слоев 4H-SiC.
Об авторах
М. Э. Бузоверя
Федеральное государственное унитарное предприятие Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
Email: dismos51@gmail.com
Россия, Саров
И. А. Карпов
Федеральное государственное унитарное предприятие Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
Email: dismos51@gmail.com
Россия, Саров
А. Ю. Архипов
Федеральное государственное унитарное предприятие Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
Email: dismos51@gmail.com
Россия, Саров
Д. А. Скворцов
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарёва
Автор, ответственный за переписку.
Email: dismos51@gmail.com
Научно-исследовательская лаборатория «Синтез и обработка монокристаллов карбида кремния»
Россия, СаранскВ. А. Неверов
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарёва
Email: dismos51@gmail.com
Научно-исследовательская лаборатория «Синтез и обработка монокристаллов карбида кремния»
Россия, СаранскБ. Ф. Мамин
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарёва
Email: dismos51@gmail.com
Научно-исследовательская лаборатория «Синтез и обработка монокристаллов карбида кремния»
Россия, СаранскСписок литературы
- Лучинин В.В., Таиров Ю.М. // Изв. вузов. Электроника. 2011. № 6(92). С. 3.
- Афанасьев А.В., Ильин В.А., Лучинин В.В., Решанов С.А. // Изв. вузов. Электроника. 2020. Т. 25. № 6. С. 483.
- Авров Д.Д., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. // Изв. вузов. Электроника. 2015. Т. 20. № 3. С. 225.
- Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С., Волкова А.А. // ЖТФ. 2005. Т. 75. № 4. С. 114; Davydov S.Yu., Lebedev A.A., Savkina N.S., Volkova A.A. // Tech. Phys. 2005. V. 50. No. 4. P. 503.
- Schöler M., Schuh P., Steiner J., Wellmann P.J. // Mat. Sci. Forum. 2019. V. 963. P. 157.
- Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Савкина Н.С. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 2. С. 153.
- Гаврилов Г.Е., Бузоверя М.Э., Карпов И.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 8. С. 1155; Gavrilov G.E., Buzoverya M.E., Karpov I.A. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. No. 8. P. 956.
- Lilov S.K. // Mater. Sci. Engin. B. 1993. V. 21. P. 65.
- Vasiliauskas R., Marinova M., Hens P. et al. // Cryst. Growth Des. 2012. V.12. P. 197.
- Быков Ю.О., Лебедев А.О., Щеглов М.П. // Неорг. матер. 2020. T. 56. № 9. C. 979.
Дополнительные файлы
