Получение и электронный транспорт в тонких пленках иридата стронция
- Авторы: Москаль И.Е.1,2, Петржик А.М.1, Кислинский Ю.В.1, Шадрин А.В.1,2, Овсянников Г.А.1, Дубицкий Н.В.3
-
Учреждения:
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”
- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”
- Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “МИРЭА – Российский технологический университет”
- Выпуск: Том 88, № 4 (2024)
- Страницы: 673-676
- Раздел: Магнитные явления и умные композитные материалы
- URL: https://rjpbr.com/0367-6765/article/view/654716
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524040211
- EDN: https://elibrary.ru/QGROJC
- ID: 654716
Цитировать
Аннотация
Представлены результаты исследования эпитаксиальных тонких пленок SrIrO3, приведены данные по технологии роста, кристаллической структуре и электронному транспорту. В пленках SrIrO3, напыленных в смеси газов Ar и O2, зависимость сопротивления от температуры имеет металлический характер. Пленки, полученные в чистом аргоне, могут иметь как металлический, так и диэлектрический ход зависимости сопротивления от температуры при разных условиях напыления по давлению и температуре. Для диэлектрических образцов рассчитана энергия активации и проведено сравнение с энергией активации для пленок Sr2IrO4.
Об авторах
И. Е. Москаль
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”
Автор, ответственный за переписку.
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва; Долгопрудный
А. М. Петржик
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва
Ю. В. Кислинский
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва
А. В. Шадрин
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва; Долгопрудный
Г. А. Овсянников
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва
Н. В. Дубицкий
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “МИРЭА – Российский технологический университет”
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва
Список литературы
- Petrzhik A.M., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 100. Art. No. 024501.
- Petrzhik A.M., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // J. Surf. Invest. X-Ray Synchrotron Neutron Techn. 2020. V. 14. No. 3. P. 547.
- Ovsyannikov G.A., Constantinian K.Y., Shmakov V.A. et al. // Phys. Rev. B. 2023. V. 107. Art. No. 144419.
- Kazunori Nishio, Harold Y. Hwang // APL Materials. 2016. V. 4. Art. No. 036102.
- Gutierrez-Llorente A., Iglesias L., Rodr’iguez-Gonz’alez B., Rivadulla F. // APL Materials. 2018. V. 6. Art. No. 091101.
- Fuentes V., Vasic B., Konstantinovic Z. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2020. V. 501. Art. No. 166419.
- Петржик А.М., Cristiani G., Логвенов Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. № 12. С. 25; Petrzhik A.M., Cristiani G., Logvenov G. et al. // Tech. Phys. Lett. 2017. V. 43. No. 6. P. 554.
- Biswas A., Jeong Y.H. // Current Appl. Phys. 2017. V. 17. P. 605.
- Кислинский Ю.В., Овсянников Г.А., Петржик А.М. и др. // ФТТ. 2015. Т. 57. № 12. С. 2446; Kislinskii Yu.V., Ovsyannikov G.A., Petrzhik A.M. et al. // Phys. Solid State. 2015. V. 57. No. 12. P. 2519.
- Gao G., Schlottmann P. // Rep. Prog. Phys. 2018. V. 81. Art. No. 042502.
Дополнительные файлы
