Исследование влияния параметров фторидного процесса осаждения вольфрама на свойства вольфрамовых самокомпозитов, полученных методом химической пропитки из газовой фазы
- Авторы: Букатин Т.Н.1, Карпенков Д.Ю.1, Душик В.В.2, Тен Д.В.1
- 
							Учреждения: 
							- Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физической химии и электрохимии имени А.Н. Фрумкина Российской академии наук»
 
- Выпуск: Том 88, № 5 (2024)
- Страницы: 760-766
- Раздел: Физика сегнетоэлектриков
- URL: https://rjpbr.com/0367-6765/article/view/654682
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524050112
- EDN: https://elibrary.ru/OWWIZF
- ID: 654682
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Изучено влияние параметров процесса химической инфильтрации из газовой фазы порошка вольфрама на глубину его пропитки, механические свойства и плотность полученных заготовок. Обнаружено, что глубина пропитки зависит от скорости осаждения вольфрама из газовой фазы, а максимальная прочность на изгиб достигается на образце, полученном при температуре 450 °C и давлении газа 133 мбар. Метод химической пропитки из газовой фазы перспективен для разработки технологии аддитивного формирования деталей из вольфрама и композитов на его основе.
Полный текст
 
												
	                        Об авторах
Т. Н. Букатин
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: bukatin.t@gmail.com
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
Д. Ю. Карпенков
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
														Email: bukatin.t@gmail.com
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
В. В. Душик
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт физической химии и электрохимии имени А.Н. Фрумкина Российской академии наук»
														Email: bukatin.t@gmail.com
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
Д. В. Тен
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
														Email: bukatin.t@gmail.com
				                					                																			                												                	Россия, 							Москва						
Список литературы
- Zohm H. // Fusion Eng. Des. 2013. V. 88. No. 6—8. P. 428.
- https://pubchem.ncbi.nlm.nih.gov/compound/Tungsten.
- Kim H., Lee H.J., Kim S.H., Jang C. // Fusion Eng. Des. A. 2016. V. 109—111. P. 590.
- Gallardo J.A.G., Giménez M.A.N., Gervasoni J.L. // Ann. Nucl. Energy. 2020. V. 147. Art. No. 107739.
- Xie J., Lu H., Lu J. et al. // Surf. Coat. Technol. 2021. V. 409. Art. No. 126884.
- Pitts R.A., Bonnin X., Escourbiac F. et al. // Nucl. Mater. Energy. 2019. V. 20. Art. No. 100696.
- Хорьков К.С., Абрамов В.Д., Кочуев Д.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2017. Т. 81. № 12. С. 1619; Khorkov K.S., Abramov V.D., Kochuev D.A. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2017. V. 81. No. 12. P. 1429.
- Bachmann C., Arbeiter F., Boccaccini L.V. et al. // Fusion Eng. Des. 2016. V. 112. P. 527.
- Harutyunyan Z., Ogorodnikova O., Gasparyan Y. et al. // J. Nucl. Mater. 2022. V. 567. No. 153811.
- Marinelli G., Martina F., Lewtas H. et al. // J. Nucl. Mater. 2019. V. 522. P. 45.
- Крат С.А., Фефелова Е.А., Пришвицын А.С. и др. // Изв. РАН Сер. физ. 2022. Т. 86. № 5. С. 627; Krat S.A., Fefelova E.A., Prishvitsyn A.S. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. P. 521.
- Jasper B., Coenen J.W., Riesch J. et al. // Mater. Sci. Forum. 2015. V. 825. P. 125.
- Dong Z., Ma Z., Yu L. et al. // Nature Commun. 2021. V. 12. P. 5052.
- Rieth M., Dudarev S.L., De Vicente S.G. et al. // J. Nucl. Mater. 2013. V. 432. No. 1—3. P. 482.
- Puma G.L., Bono A., Krishnaiah D., Collin J.G. // J. Hazard. Mater. 2008. V. 157. No. 2—3. P. 209.
- Fotovvati B., Namdari N., Dehghanghadikolaei A. // J. Manuf. Mater. Process. 2019. V. 3. No. 1. P. 28.
- Tamura S., Tokunaga K., Yoshida N. // J. Nucl. Mater. 2002. V. 307. P. 735.
- Song J., Yu Y., Zhuang Z. et al. // J. Nucl. Mater. 2013. V. 442(1—3). P. S208.
- Murphy J.D., Giannattasio A., Yao Z. et al. // J. Nucl. Mater. 2009. V. 386. P. 583.
- Angelescu D. E., Schroeder R. J. Технология изготовления металлических устройств со встроенными оптическими элементами, оптическими устройствами или оптическими и электрическими вводами. Патент США № 20100041155A1. 2008.
- Raumann L., Coenen J.W., Riesch J. et al. // Surf. Coat. Technol. 2020. V. 381. Art. No. 124745.
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 





