Time-dependent photoconductivity in iron doped ZnSe crystals

M. S. Storozhevykh; Сторожевых М. С.; V. P. Kalinushkin; Калинушкин В. П.; O. V. Uvarov; Уваров О. В.; V. P. Chegnov; Чегнов В. П.; O. I. Chegnova; Чегнова О. И.; V. A. Yuryev; Юрьев В. А.

doi:10.31857/S0367676523701569

Временные зависимости фотопроводимости в кристаллах ZnSe, легированных железом

Авторы: Сторожевых М.С.¹, Калинушкин В.П.¹, Уваров О.В.¹, Чегнов В.П.², Чегнова О.И.², Юрьев В.А.¹
Учреждения:
1. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр “Институт общей физики имени А.М. Прохорова Российской академии наук”
2. Акционерное общество “Научно-исследовательский институт материаловедения имени А.Ю. Малинина”
Выпуск: Том 87, № 6 (2023)
Страницы: 901-906
Раздел: Статьи
URL: https://rjpbr.com/0367-6765/article/view/654393
DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701569
EDN: https://elibrary.ru/VNSAQZ
ID: 654393

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Изучена фотопроводимость кристаллов ZnSe, легированных железом методом термодиффузии, в диапазоне длин волн 470–5000 нм при температуре 77 и 300 К. Образцы показали высокую фотопроводимость во всем видимом диапазоне. Обнаружен эффект долговременного роста и релаксации фототока, установлена зависимость кривых роста и релаксации фототока от длины волны и мощности падающего излучения, а также напряжения, приложенного к образцу. Наблюдался эффект гашения остаточной фотопроводимости при облучении образцов излучением в диапазоне 850–940 нм.

Список литературы

Avdonin A.N., Ivanova G.N., Nedeoglo D.D. et al. // Physica B. 2005. V. 365. P. 217.
Mahawela P., Sivaraman G., Jeedigunta S. et al. // Mater. Sci. Engin. B. 2005. V. 116. P. 283.
Schulz O., Strassburg M., Rissom T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. Art. No. 4916.
Dormidonov A.E., Firsov K.N., Gavrishchuk E.M. et al. // Appl. Phys. B. 2016. V. 122. No. 8. P. 211.
Frolov M.P., Korostelin Y.V., Kozlovsky V.I. et al. // Laser Phys. 2019. V. 29. No. 8. Art. No. 085004.
Fedorov V., Martyshkin D., Karki K. et al. // Opt. Express. 2019. V. 27. No. 10. P. 13934.
Migal E., Pushkin A., Bravy B. et al. // Opt. Letters. 2019. V. 44. No. 10. P. 2550.
Peppers J., Fedorov V.V., Mirov S.B. // Opt. Express. 2015. V. 23. No. 4. P. 4406.
Evans J.W., Harris T.R., Reddy B.R. et al. // J. Luminescence. 2017. V. 188. P. 541.
Kulyuk L.L., Laiho R., Lashkul A.V. et al. // Physica B. 2010. V. 405. P. 4330.
Aminev D.F., Pruchkina A.A., Krivobok V.S. et al. // Opt. Mater. Exp. 2021. V. 11. No. 2. P. 210.
Kalinushkin V., Uvarov O., Il’ichev N. et al. // Opt. Inf. Conf. 2020. Art. No. JTh2A.
Ильичев Н.Н., Буфетова Г.А., Гулямова Е.С. и др. // Квант. электрон. 2019. Т. 49. № 12. С. 1175; Il’ichev N.N., Bufetova G.A., Gulyamova E.S. et al. // Quant. Electron. 2019. V. 49. No. 12. P. 1175.
Ильичев Н.Н., Гладилин А.А., Гулямова Е.С. и др. // Квант. электрон. 2020. Т. 50. № 8. С. 730; Il’ichev N.N., Gladilin A.A., Gulyamova E.S. et al. // Quant. Electron. 2020. V. 50. No. 8. P. 730.
Il’ichev N., Sidorin A., Gulyamova E. et al. // J. Luminescence. 2021. V. 239. Art. No. 118363.
Ваксман Ю.Ф., Ницук Ю.А., Яцун В.В. и др. // ФТП. 2011. Т. 45. № 9. С. 1171; Vaksman Y.F., Nitsuk Y.A., Yatsun V.V. et al. // Semiconductors. 2011. V. 45. No. 9. P. 1129.
Ницук Ю.А., Ваксман Ю.Ф., Яцун В.В. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. № 10. С. 1288; Nitsuk Y.A., Vaksman Y.F., Yatsun V.V. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 10. P. 1265.
Iida S. // J. Phys. Soc. Japan. 1969. V. 26. No. 5. P. 1140.
Makhni V.P., Sletov M.M., Tkachenko I.V. // J. Opt. Technol. 2007. V. 74. No. 6. P. 394.
Rong F.C., Barry W.A., Donegan J.F., Watkins G.D. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. No. 11. P. 7779.
Dunstant D.J., Nicholls J.E., Cavenett B.C., Davies J.J. // J. Physics C. 1980. V. 13. P. 6409.
Ivanova G.N., Nedeoglo D.D., Negeoglo N.D. et al. // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. Art. No. 063543.
Шейнкман М.К., Шик А.Я. // ФТП. 1976. Т. 10. № 2. С. 209.
Niftiev G.M., Tagiev B.G., Khalilov A.O., Abushov S.A. // Phys. Stat. Sol. 1984. V. 81. P. 175.
Akhmedov A.A., Khalilov S.K., Kyazymzade A.G., Bairamov Y.A. // Phys. Stat. Sol. 1986. V. 93. P. 79.
Mayorova T.L., Klyuev V.G., Fam Thi Hay M. // Nanotechnol. Russ. 2012. V. 7. No. 5–6. P. 298.
Yeritsyan H., Grigoryan N., Harutyunyan V. et al. // J. Mod. Phys. 2014. V. 5. No. 1. P. 51.