Исследование поведения сопротивления пленочных гетероструктур LaMnO3/Bi4Ti3O12/Ba0.4Sr0.6TiO3/MgO

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Исследовано температурное поведение сопротивления гетероструктуры LaMnO3/Bi4Ti3O12/ Ba0,4Sr0,6TiO3/MgO. В температурном диапазоне 120–180 К обнаружена аномальная область с двумя максимумами сопротивления, а ниже 120 К – переход к металлическому характеру проводимости. Показано, что сопротивление гетероструктуры под воздействием зеленого света существенно увеличивается.

Об авторах

Д. П. Павлов

Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского –
обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр Российской академии наук”

Автор, ответственный за переписку.
Email: dmitry.p.pavlov@mail.ru
Россия, Казань

А. О. Чибирев

Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского –
обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр Российской академии наук”

Email: dmitry.p.pavlov@mail.ru
Россия, Казань

Т. М. Салихов

Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского –
обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр Российской академии наук”

Email: dmitry.p.pavlov@mail.ru
Россия, Казань

Р. Ф. Мамин

Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского –
обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр Российской академии наук”

Email: dmitry.p.pavlov@mail.ru
Россия, Казань

Список литературы

  1. Hossain M.K., Hossain S., Ahmed M.H. et al. // ACS Appl. Electron. Mater. 2021. V. 3. P. 3715.
  2. Thiel C.W., Macfarlane R.M., Sun Y. et al. // Laser Phys. 2014. V. 24. Art. No. 106002.
  3. Hossain M.K., Ahmed M.H., Khan I. et al. // ACS Appl. Electron. Mater. 2021. V. 3. P. 4255.
  4. Hossain M.K., Raihan G.A., Akbar A. et al. // ACS Appl. Electron. Mater. 2022. V. 4. P. 3327.
  5. Ohtomo A., Hwang H.Y. // Nature. 2004. V. 427. P. 423.
  6. Thiel S., Hammerl G., Schmehl A. et al. // Science. 2006. V. 313. P. 1942.
  7. Reyren N., Thiel S., Caviglia A.D. et al. // Science. 2007. V. 317. P. 1196.
  8. Li D., Gariglio S., Cancellieri C. et al. // APL Mater. 2014. V. 2. Art. No. 012102.
  9. Pavlenko N., Kopp T., Tsymbal E. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 86. Art. No. 064431.
  10. Pavlenko N., Kopp T., Tsymbal E. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. Art. No. 020407.
  11. Pavlenko N., Kopp T., Mannhart J. et al. // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. Art. No. 201104.
  12. Lechermann F., Boehnke L., Grieger D. et al. // Phys. Rev. B. 2014. V. 90. Art. No. 085125.
  13. Salluzzo M., Gariglio S., Stornaiuolo D. et al. // Phys. Rev. Lett. 2013. V. 111. Art. No. 087204.
  14. Pavlov D.P., Zagidullin R.R., Mukhortov V.M. et al. // Phys. Rev. Lett. 2019. V. 122. Art. No. 237001.
  15. Niranjan M., Wang Y., Jaswal S.S. et al. // Phys. Rev. Lett. 2009. V. 103. Art. No. 016804.
  16. Niranjan M.K., Burton J.D., Velev J.P. et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 95. Art. No. 052501.
  17. Павлов Д.П., Пиянзина И.И., Мухортов В.М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 106. № 7. С. 440.
  18. Tailor N.K., Maity P., Satapathi S. // ACS Photon. 2021. V. 8. P. 2473.
  19. Gustafson J.K., Wines D., Gulian E. et al. // J. Phys. Chem. C. 2021. V. 125. P. 8712.
  20. Grillo A., Faella E., Pelella A. et al. // Adv. Funct. Mater. 2021. V. 31. Art. No. 2105722.
  21. Pavlenko M.A., Tikhonov Y.A., Razumnaya A.G. et al. // Nanomaterials. 2021. V. 12. P. 75.
  22. Hua X., Meng F., Huang Z. et al. // NPJ Quantum Mater. 2022. V. 7. P. 1.

Дополнительные файлы


© Д.П. Павлов, А.О. Чибирев, Т.М. Салихов, Р.Ф. Мамин, 2023