Structure and electrical properties of (Mg/ZrO2)52 multilayer nanostructures
- Авторлар: Stognei O.V.1, Smirnov A.N.1, Sitnikov A.V.1, Volochaev M.N.2
- 
							Мекемелер: 
							- Voronezh State Technical University
- Kirensky Institute of Physics of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences
 
- Шығарылым: Том 87, № 9 (2023)
- Беттер: 1348-1354
- Бөлім: Articles
- URL: https://rjpbr.com/0367-6765/article/view/654621
- DOI: https://doi.org/10.31857/S036767652370237X
- EDN: https://elibrary.ru/GKJBXR
- ID: 654621
Дәйексөз келтіру
Аннотация
Multilayer (Mg/ZrO2)52 nanostructures differing from each other in the thickness of the Mg layers and the same thickness of the ZrO2 layers were obtained by ion-beam sputtering of two targets in an argon. The thickness of one bilayer (Mg + ZrO2) varies from 3.6 to 8.5 nm. It was found that the use of zirconium dioxide prevented the oxidation of the magnesium phase. The presence of an electric percolation threshold was found when the morphology of magnesium layers changes (transition from discrete to continuous) as a result of an increase in the bilayer thickness. A change of the electrotransport mechanism in the (Mg/ZrO2)52 multilayer nanostructures upon passing through the percolation threshold has been established.
Авторлар туралы
O. Stognei
Voronezh State Technical University
							Хат алмасуға жауапты Автор.
							Email: sto.sci.vrn@gmail.com
				                					                																			                												                								Russia, 394006, Voronezh						
A. Smirnov
Voronezh State Technical University
														Email: sto.sci.vrn@gmail.com
				                					                																			                												                								Russia, 394006, Voronezh						
A. Sitnikov
Voronezh State Technical University
														Email: sto.sci.vrn@gmail.com
				                					                																			                												                								Russia, 394006, Voronezh						
M. Volochaev
Kirensky Institute of Physics of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences
														Email: sto.sci.vrn@gmail.com
				                					                																			                												                								Russia, 660036, Krasnoyarsk						
Әдебиет тізімі
- Murray P., Orehounig D., Grosspietsch K., Carmeliet J. // Appl. Energy. 2018. V. 231. P. 1285.
- Lin X., Zhu Q., Leng H. et al. // Appl. Energy. 2019. V. 250. P. 1065.
- Stognei O.V., Smirnov A.N., Sitnikov A.V., Semenenko K.I. // Solid State Commun. 2021. V. 330. Art. No. 114251.
- Liu Jiangwen, Fu Yiyuan, Huang Wencheng // Phys. Chem. C. 2020. V. 124. P. 6571.
- Зубарев Е.Н. // УФН. 2011. Т. 181. № 5. С. 491; Zubarev E.N. // Phys. Usp. 2011. V. 54. No. 5. P. 473.
- Sponchia G. et al. // J. Eur. Ceram. Soc. 2017. V. 37. P. 3393.
- Francisco L., Sponchia G., Benedetti A. et al. // Ceram. Int. 2018. V. 44. No. 9. P. 10362.
- Trolliard G., Benmechta R., Mercurio D. // Acta Materialia. 2007. V. 55. P. 6011.
- Головин Ю.И. Керамические материалы на основе диоксида циркония. М.: Техносфера, 2018. 358 с.
- Thornton J.A. // J. Vac. Sci. Tech. 1986. V. 6. No. 4. P. 3059.
- Ceresoli D., Vanderbilt D. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. Art. No. 125108.
- Platzer-Björkman C., Mongstad T., Karazhanov S. et al. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2009. V. 1210. Art. No. 315.
- Ouyang L.Z., Ye S.Y., Dong H.W., Zhu M. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. Art. No. 021917.
- Ouyang L., Qin F.X., Zhu M. et al. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. Art. No. 016110.
- Pasturel M., Slaman M., Schreuders H. et al. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. Art. No. 023515.
- Гриднев С.А., Калинин Ю.Е., Ситников А.В., Стогней О.В. Нелинейные явления в нано- и микрогетерогенных системах. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. 352 с.
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1. М.: Мир, 1982. 368 с.
Қосымша файлдар
 
				
			 
						 
					 
						 
						 
						

 
  
  
  Мақаланы E-mail арқылы жіберу
			Мақаланы E-mail арқылы жіберу 
 Ашық рұқсат
		                                Ашық рұқсат Рұқсат берілді
						Рұқсат берілді Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін
		                                							Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін
		                                					



