Анализ коэффициента шума приемного тракта на основе смесителя с управлением по току
- Авторы: Коротков А.С.1, Чан Т.Д.1
- 
							Учреждения: 
							- Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
 
- Выпуск: Том 69, № 11 (2024)
- Страницы: 1110-1120
- Раздел: Статьи
- URL: https://rjpbr.com/0033-8494/article/view/684291
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424110092
- EDN: https://elibrary.ru/HOCDDO
- ID: 684291
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Проведен анализ шумовых свойств приемного тракта на основе пассивного смесителя с управлением по току с учетом источников шума следующих устройств: входного малошумящего усилителя, собственно смесителя, выходного трансимпедансного усилителя. Проанализирован шум на выходе приемного тракта, который генерируется перечисленными группами источников шума. Найден коэффициент шума приемного тракта и его оптимальное (наименьшее) значение с учетом влияния паразитных емкостей ключей смесителя. Результаты расчета подтверждены результатами моделирования.
Об авторах
А. С. Коротков
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: korotkov@spbstu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							ул. Политехническая, 29, Санкт-Петербург, 195251						
Т. Д. Чан
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
														Email: korotkov@spbstu.ru
				                					                																			                												                	Россия, 							ул. Политехническая, 29, Санкт-Петербург, 195251						
Список литературы
- Terrovitis M. A., Mayer R. G. // IEEE J. Solid-State Circuits. 1999. V. 34. № 6. P. 772.
- Darabi H., Abidi A. A. // IEEE Trans. 2000. V. SSC-35. № 1. P. 15.
- Kоротков А. С. // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 2. С. 128.
- Qi G., Shao H., Mak P. I. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2020. V. 55. № 12. P. 3387.
- Yang D., Andrew C., Molnar A. // IEEE Trans. 2015. V. CS-I-62. № 11. P. 2759.
- Lenka M. K., Banerjee G. // IEEE Trans. 2019. V. VLSI-27. № 5. P. 993.
- Shams N., Nabki F. // IEEE Trans. 2023. V. VLSI-31. № 3. P. 369.
- Chehrazi S., Mirzaei A., Abidi A. A. // IEEE Trans. 2010. V. CS-I-57. № 2. P. 332.
- Чан Т. Д., Коротков А. С. // РЭ. ٢٠٢٤. Т. 69. № 3. С. 288.
- Коротков А. С., Чан Т. Д. // РЭ. ٢٠٢٣. Т. 68. № 1. С. 83.
- Mirzaei A., Darabi D., Leete J. C. et al. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2009. V. 44. № 10. P. 2678.
- Korotkov A. S., Tran T. D. // Proc. 2023 Int. Conf. Electrical Engineering and Photonics. St. Petersburg. 19–20 Oct. N.Y.: IEEE, 2023. P. 22.
- Nguyen T. K., Kim C. H., Ihm G. J. et al. // IEEE Trans. 2004. V. MTT-52. № 5. P. 1433.
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 

