Отправить статью по E-mail 
Влияние магнитного поля на структуру поверхности и свойства монокристаллов германия
- Авторы: Мариничева К.А.1, Иванова А.И.1, Каплунов И.А.1, Егорова К.А.1, Третьяков С.А.1, Барабанова Е.В.1, Ракунов П.А.1
-
Учреждения:
- ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
- Выпуск: Том 88, № 5 (2024)
- Страницы: 788-793
- Раздел: Физика сегнетоэлектриков
- URL: https://rjpbr.com/0367-6765/article/view/654686
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524050155
- EDN: https://elibrary.ru/QEMEFJ
- ID: 654686
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Представлены результаты экспериментальных исследований структуры, параметров поверхности и оптических свойств монокристаллов германия, подвергнутых воздействию знакопеременного магнитного поля. Обнаружены изменения рельефа и параметров шероховатости поверхности кристаллов, а также снижение их коэффициентов оптического пропускания в диапазоне 1.8—23 мкм после обработки магнитным полем.
Полный текст
Об авторах
К. А. Мариничева
ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Россия, Тверь
А. И. Иванова
ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
Автор, ответственный за переписку.
Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Россия, Тверь
И. А. Каплунов
ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Россия, Тверь
К. А. Егорова
ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Россия, Тверь
С. А. Третьяков
ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Россия, Тверь
Е. В. Барабанова
ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Россия, Тверь
П. А. Ракунов
ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
Email: Ivanova.AI@tversu.ru
Россия, Тверь
Список литературы
- Alshits V.I., Darinskaya E.V., Koldaev M.V., Petrzhik E.A. // Dislocations in Solids. V. 14. Amsterdam: Elsevier, 2008. P. 333.
- Югова Т.Г., Белов А. Г., Князев С.Н. // Кристаллография. 2020. Т. 65. № 1. С. 11; Yugova T. G., Belov A.G., Knyazev S.N. // Crystallogr. Rep. 2020. V. 65. No. 1. P. 7.
- Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю., Косцов А.М. // ФТТ. 2003. Т. 45. № 3. С. 513; Levin M.N., Postnikov V.V., Palagin M.Y., Kostsov A.M. // Phys. Solid State. 2003. V. 45. No. 3. P. 542.
- Гриднев С.А., Дрождин К.С., Шмыков В.В. // Кристаллография. 1997. Т. 42. № 6. С. 1135; Gridnev S.A., Drozhdin K.S., Shmykov V.V. // Crystallogr. Rep. 1997. V. 42. No. 6. P. 1058.
- Постников В.В. Фазовые и структурные превращения в диамагнитных материалах после воздействия слабых магнитных полей. Дисс. … доктора физ.-мат. наук. Воронеж: Воронежский гос. ун-т, 2004. 338 с.
- Волчков И.С., Ополченцев А.М., Павлюк М.Д., Каневский В.М. // Кристаллография. 2018. Т. 63. № 5. C. 746; Volchkov I.S., Opolchentsev A.M., Pavlyuk M.D., Kanevsky V.M. // Crystallogr. Rep. 2018. V. 63. No. 5. P. 765.
- Левин М.Н., Татаринцев А.В., Косцова О.А., Косцов А.М. // Журн. технич. физики. 2003. Т. 73. № 10. С. 85; Levin M.N., Tatarintsev A.V., Kostsova O.A., Kostsov A.M. // Tech. Phys. 2003. V. 48. No. 10. P. 1304.
- Макара В.А., Васильев М.А., Стебленко Л.П. и др. // Физ. и техн. полупроводн. 2008. Т. 42. № 9. С. 1061; Makara V.A., Vasiliev M.A., Steblenko L.P. // Semiconductors. 2008. V. 42. P. 1044.
- Левин М.Н., Зон Б.А. // ЖЭТФ. 1997. Т. 111. № 4. С. 1373; Levin M.N., Zon B.A. // JETP. 1997. V. 84. P. 760.
- Гречкина М.В., Бормонтов Е.Н. // Конден. среды и межфаз. границы. 2017. Т. 19. № 1. С. 133.
- Иванова А.И., Свешников П.А., Мариничева К.А. и др. // Физ.-хим. асп. изуч. кластер. нанострукт. и наноматер. 2022. № 14. С. 120.
- Каплунов И.А., Рогалин В.Е // Фотоника. 2019. Т. 13. № 1. С. 88.
- Малышкина О.В., Каплунов И.А., Гавалян М.Ю. // Изв. РАН. Сер. физ. 2016. Т. 80. № 8. С. 1104; Malyshkina O.V., Kaplunov I.A., Ghavalyan M.Y. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2016. V. 80. No. 8. P. 1013.
- Калинушкин В.П. // Труды ИОФ РАН. 1986. Т. 4. С. 3.
Дополнительные файлы
