Processes in the electronic system of solid solutions of bismuth and antimony telluride in the range of observation of the anomalous temperature dependence of the Hall coefficient

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The temperature dependences of electrical conductivity and Hall coefficient in single crystals of bismuth and antimony telluride have been studied. In samples with a high content of antimony telluride, a decrease in Hall mobility in the region of nitrogen temperatures was found, which indicates the presence of an additional mechanism for charge carrier scattering.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

N. Stepanov

Transbaikal State University; Baikal State University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: np-stepanov@mail.ru
Ресей, Chita; Irkutsk

M. Ivanov

Irkutsk State Transport University

Email: np-stepanov@mail.ru

Transbaikal Institute of Railway Transport

Ресей, Chita

Әдебиет тізімі

  1. Meroz O., Elkabets N., Gelbstein Y. // ACS Appl. Energy Mater. 2020. V. 3. P. 2090.
  2. Zheng Y., Xie H., Zhang Q. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2020. V. 12. P. 36186.
  3. Zhang J., Feng X., Xu Y. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91. Art. No. 075431.
  4. Лукьянова Л.Н., Бойков Ю.А., Усов О.А. и др. // ФТП. 2017.Т.51. № 7. С. 880; Lukyanova L.N., Boikov Y.A., Usov O.A. et al. // Semiconductors. 2017. V. 51. No. 7. Р. 843.
  5. Tang X., Li Z., Liu W. et al. // Interdisc. Mater. 2022. V. 1. No. 1. P. 88.
  6. Павлов Д.П., Чибирев А.О., Салихов Т.М., Мамин Р.Ф. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 9. С. 1296; Pavlov D.P., Chibirev A.O., Salikhov T.M., Mamin R.F. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 9. P. 1332.
  7. Bulat L.P., Drabkin I.A., Osvenskii V.B. et al. // J. Electron. Mater. 2015. V. 44. P. 1846.
  8. Жежу М., Васильев А.Е., Иванов О.Н. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 6. С. 786; Zhezhu M., Vasil’ev A.E., Ivanov O.N. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 6. P. 692.
  9. Xu Y., Gan Z., Zhang S.C. // Phys. Rev. Lett. 2014. V. 112. No. 22. P. 226801.
  10. Чистяков В.В., Доможирова А.Н., Хуанг Дж.Ч.Э. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 7. С. 921; Chistyakov V.V., Domozhirova A.N., Huang J.C. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 7. P. 838.
  11. Степанов Н.П., Иванов М.С. // ФТП. 2022. Т. 56. № 12. С. 1103; Stepanov N.P., Ivanov M.S. // Semiconductors. 2022. V. 56. No. 12. Р. 879.
  12. Yates B. // J. Electr. Control. 1959. V.6. P. 26.
  13. Житинская М.К., Немов С.А., Свечникова Т.Е. // ФТТ. 1998. Т. 40. № 8. С. 1428; Zhitinskaya M.K., Nemov S.A., Svechnikova T.E. // Phys. Solid State. 1998. V. 40. No. 8. P. 1297.
  14. Mase S. // J. Phys. Soc. 1957. V. 13. P. 434.
  15. Степанов Н.П., Гильфанов А.К., Трубицына Е.Н. // ФТП. 2019. Т. 53. № 6. С. 774; Stepanov N.P., Gilfanov A.K., Trubitsyna E.N. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 6. Р. 765.
  16. Сологуб В.В., Голецкая А.Д., Парфеньев Р.В. // ФТТ. 1972. Т. 14. № 3. С. 915.
  17. Степанов Н.П. // Опт. и спектроск. 2023. Т. 131. № 9. С. 1219.
  18. Vedernikov M.V., Konstantinov P.P., Burkov A.T. // Proc. 8th Int. Conf. Thermoelectric energy conversion (Nancy, 1989). Р. 45.
  19. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Вi2Te3. М.: Наука, 1972. 320 с.
  20. Testardi L.R., Bierly J.N., Danahoe F.J. // J. Phys. Chem. Sol. 1962. V. 23. P. 1209.
  21. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. СПб.: Лань, 2008. 618 с.
  22. Tussing P., Rosental W., Hang A. // Phys. Stat. Sol. B. 1972. V. 52. No. 2. Р. 451.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. Temperature dependences of the specific electrical conductivity of crystals: 1 – Bi2Te3; 2 – Bi1.5Sb0.5Te3; 3 – Bi1.2Sb0.8Te3; 4 – Bi0.8Sb1.2Te3; 5 – Bi0.4Sb1.6Te3; 6 – Bi0.01Sb1.99Te3.

Жүктеу (12KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Temperature dependences of the Hall coefficient of crystals: 1 – Bi2Te3; 2 – Bi1.5Sb0.5Te3; 3 – Bi1.2Sb0.8Te3; 4 – Bi0.8Sb1.2Te3; 5 – Bi0.4Sb1.6Te3; 6 – Bi0.01Sb1.99Te3; 7 – Bi1.8Sb0.2Te3.

Жүктеу (12KB)
Метадеректер
4. Fig. 3. Temperature dependences of the Hall mobility of crystals: 1 – Bi2Te3; 2 – Bi1.5Sb0.5Te3; 3 – Bi1.2Sb0.8Te3; 4 – Bi0.8Sb1.2Te3; 5 – Bi0.4Sb1.6Te3; 6 – Bi0.01Sb1.99Te3.

Жүктеу (12KB)
Метадеректер
5. Fig. 4. Temperature dependence of the Hall mobility taking into account scattering on acoustic phonons for the Bi2Te3 crystal (a) and the Bi0.6Sb1.4Te3 crystal (b): curve 1 – theoretical calculation τ ~ T–1; curve 2 – experimental dependence.

Жүктеу (16KB)
Метадеректер

© Russian Academy of Sciences, 2024