Influence of silicon dioxide on the structure and dielectric properties of barium titanate

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The influence of silicon dioxide on the structure and dielectric properties of ceramic barium titanate was studied. The obtained results show that Si in concentrations up to 1 mol. % enters to the BaTiO3 lattice, forming the BaTi1-xSixO3 solid solution. Doping barium titanate with silicon leads to a decrease in the size of the crystal cell, a slight diffuseness of the ferroelectric phase transition, a decrease in its temperature and the appearance of signs of a relaxer ferroelectric.

Авторлар туралы

L. Korotkov

Voronezh State Technical University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394026

N. Tolstykh

Voronezh State Technical University

Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394026

N. Borodin

Voronezh State Technical University

Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394026

M. Kashirin

Voronezh State Technical University

Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394026

R. Anisimov

Voronezh State Technical University

Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394026

S. Popov

Military Educational and Scientific Centre of the Air Force N. E. Zhukovsky and Y. A. Gagarin Air Force Academy

Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394064

M. Pankova

Voronezh Institute of the Ministry of Internal Affairs of Russia

Email: l_korotkov@mail.ru
Ресей, Voronezh, 394065

Әдебиет тізімі

  1. Прокопало О.И., Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г. и др. Титанат бария. Ростов-на-Дону.: Изд. РГУ, 1970. 214 с.
  2. Смоленский Г.А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Л.: Наука, 1971. 476 с.
  3. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. 736 с.
  4. Rabe K.M., Ahn C.H., Triscone J.-M. Physics of ferroelectrics: a modern perspective Berlin: Springer-Verlag, 2007. 388 p.
  5. Толстых Н.А., Короткова Т.Н., Аль Джаафари Ф.Д. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 9. С. 1196; Tolstykh N.A., Korotkova T.N., Al’ Dzhaafari F.D. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 9. P. 1086.
  6. Lemanov V.V., Smirnova E.P., Syrnikov P.P., Tarakanov E.A. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. No. 5. P. 3151.
  7. Gatea H.A., Shoja S.J., Albazoni H.J. // J. Miner. Met. Mater. Soc. 2023. V. 75. P. 4470.
  8. Weber U., Greuel G., Boettger U. et al. // J. Amer. Ceram. Soc. 2001. V. 84. No. 4. P. 759.
  9. Ciomaga C.E., Calderone R., Buscaglia M.T. et al. // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2006. V. 8. No. 3. P. 944.
  10. Jeon H.-P., Lee S.-K., Kim S.-W. et al. // Mater. Chem. Phys. 2005. V. 94. No. 2—3. P. 185.
  11. Wang J., Tang L., Shenn B., Zhai J. // Ceram. Int. 2014. V. 40. P. 2261.
  12. Zhang Y., Cao M., Yao Z. et al. // Mater. Res. Bull. 2015. V. 67. P. 70.
  13. Lu X., Tong Y., Talebinezhad H. et al. // Proc. 2017 ISAF IWATMD PFM. (Atlanta, 2017). P. 56.
  14. Воротилов К.А., Мухортов В.М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. М.: Энергоатомиздат, 2011. 175 с.
  15. Diao C., Liu H., Hao H. et al. // Ceram. Int. 2014. V. 40. P. 2261.
  16. Al-jaafari F.M.D., Mohammed M.A., Shahad S.H. et al. // Ferroelectrics. 2023. V. 612. P. 144.
  17. Гинье А. Рентгенография кристаллов. Теория и практика. М.: ФИЗМАТЛИТ, 1961. 604 с.
  18. https://dpva.ru/Guide/GuidePhysics/Length/IonicRadius.
  19. Landolt-Börnstein. Group III Condensed Matter. V. 36A1. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 2011.
  20. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986. 556 с.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2024