Мақаланы E-mail арқылы жіберу Thermal stability of ferroelectric films based on hafnium-zirconium dioxide on silicon
- Авторлар: Popov V.P.1, Antonov V.A.1, Tikhonenko F.V.2, Myakonkikh A.V.1, Rudenko K.1
-
Мекемелер:
- Valiev Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences
- Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”
- Шығарылым: Том 87, № 6 (2023)
- Беттер: 867-872
- Бөлім: Articles
- URL: https://rjpbr.com/0367-6765/article/view/654387
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676523701508
- EDN: https://elibrary.ru/VMKDGC
- ID: 654387
Дәйексөз келтіру
Ашық рұқсат
Рұқсат берілді
Тек жазылушылар үшін
Аннотация
The results are presented indicating an increase in thermal stability, as well as structural and electrophysical properties of obtained by plasma-stimulated atomic layer deposition (PEALD) 20 nm ferroelectric HfO2, Hf0.5Zr0.5O2 films with the inserts of Al2O3 monolayers and without them, in metal-ferroelectric-silicon mesa structures, promising for universal memory devices.
Авторлар туралы
V. Popov
Valiev Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: popov@isp.nsc.ru
Russia, 117218, Moscow
V. Antonov
Valiev Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences
Email: popov@isp.nsc.ru
Russia, 117218, Moscow
F. Tikhonenko
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки“Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”
Email: popov@isp.nsc.ru
Россия, Новосибирск
A. Myakonkikh
Valiev Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences
Email: popov@isp.nsc.ru
Russia, 117218, Moscow
K. V. Rudenko
Valiev Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences
Email: popov@isp.nsc.ru
Russia, 117218, Moscow
Әдебиет тізімі
- Khosla R., Sharma S. // ACS Appl. Electron. Mater. 2021. V. 3. No. 7. P. 286.
- Wang D., Zhang Y., Wang J. et al. // J. Mater. Sci. Technol. 2022. V. 104. P. 1.
- Shen Y., Zhang Z., Zhang Q. et al. // RSC Advances. 2020. V. 10. P. 7812.
- Böscke T.S., Müller J., Bräuhaus D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. Art. No. 102903.
- Müller J., Yurchuk E., Schlösser T. et al. // Proc. 2012 Symp. VLSI Technology. (Honolulu, 2012). P. 25.
- Müller J., Böscke T.S., Schroder U. et al. // Nano Lett. 2012. V. 12. No. 8. P. 4318.
- Materano M., Lomenzo P.D., Kersch A. et al. // Inorg. Chem. Front. 2021. V. 8. P. 2650.
- Chen H., Zhou X., Tang L. et al. // Appl. Phys. Rev. 2022. V. 9. Art. No. 011307.
- Kim H.J., Park M.H., Kim Y.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Art. No. 192903.
- Migita S., Ota H., Shibuya K. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 2019. V. 58. Art. No. SBBA07.
- Chesnokov Yu., Miakonkikh A., Rogozhin A. et al. // J. Mater. Sci. 2018. V. 53. P. 1.
- Grigoriev A., Azad M.M., McCampbell J. // Rev. Sci. Instrum. 2011. V. 82. No. 12. Art. No. 124704.
- Popov V., Antonov V., Tikhonenko F. et al. // J. Physics D. 2021. V. 54. No. 22. Art. No. 2251012021.
- Popov V.P., Tikhonenko F.V., Antonov V.A. et al. // Sol. State. Electron. 2022. V. 194. Art. No. 108348.
- Долженко Д.И., Бородзюля В.Ф., Захарова И.Б., Сударь Н.Т. // ЖТФ. 2021. Т. 91. № 1. С. 58; Dolzhenko D.I., Borodzyulya V.F., Zakharova I.B., Sudar’ N.T. // Tech. Phys. 2021. V. 66. No. 1. P. 53.
- White M.H., Adams D.A., Bu J. // IEEE Circuits Devices Mag. 2000. V. 16. P. 22.
- Zhang Y., Shao Y.Y., Lu X.B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Art. No. 172902.
- Mikheev V., Chouprik A., Lebedinskii Y. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2019. V. 11. No. 35. P. 32108.
- Fontanini R., Barbot J., Segatto M. // IEEE J. Electron Dev. Soc. 2022. V. 10. P. 593.
- Kim H.J., Park M.H., Kim Y.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Art. No. 192903.
Қосымша файлдар
