Spin magnetoresistance of thin film structures of manganite and material with strong spin-orbit interaction.

G. D. Ul'ev; Ульев Г. Д.; K. I. Constantinian; Константинян К. И.; Y. E. Moskal'; Москаль И. Е.; G. A. Ovsyannikov; Овсянников Г. А.; A. V. Shadrin; Шадрин А. В.

doi:10.31857/S0033849423100194

Спиновое магнетосопротивление тонкопленочных структур из манганита и материала с сильным спин-орбитальным взаимодействием

Авторы: Ульев Г.Д.¹^,2, Константинян К.И.¹, Москаль И.Е.², Овсянников Г.А.¹, Шадрин А.В.¹^,3
Учреждения:
1. Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
2. Национальный исследовательский университет “Высшая школа экономики”
3. Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
Выпуск: Том 68, № 10 (2023)
Страницы: 984-988
Раздел: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
URL: https://rjpbr.com/0033-8494/article/view/650452
DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849423100194
EDN: https://elibrary.ru/DMYCRX
ID: 650452

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Представлены результаты экспериментального определения спинового угла Холла в двухслойной структуре металл/ферромагнетик Pt/La_0.7Sr_0.3MnO₃, полученные из угловых зависимостей продольного и поперечного спинового магнетосопротивления в конфигурации планарного эффекта Холла. Определенная из продольного магнетосопротивления величина спинового угла Холла составила θ_Hx ≈ 0.016, а из поперечного θ_Hy ≈ 0.018, в то время как для гетероструктур SrIrO₃/La_0.7Sr_0.3MnO₃ отношение величин поперечного спинового угла Холла к продольному оказалось значительно выше, θ_Hy/θ_Hx ≈ 9, что вызвано, скорее всего, образованием слоя с высокой проводимостью на границе SrIrO₃/La_0.7Sr_0.3MnO₃.

Ключевые слова

spin Hall angle, two-layer metal/ferromagnet structure, longitudinal and transverse spin magnetoresistance

Список литературы

Hirsch J.E. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. № 9. P. 1834.
Zhang S.F. // Phys. Rev. Lett. 2000. V. 85. № 2. P. 393.
Miron I.M., Garello K., Gaudin G. et al. // Nature. 2011. V. 476. P. 189.
Jungwirth T., Wunderlich J., Olejn K. et al. // Nat. Mater. 2012. V. 11. P. 382.
Sinova J., Valenzuela S.O., Wunderlich J. et al. // Rev. Mod. Phys. 2015. V. 87. P. 1213.
Chen Y.-T., Takahashi S., Nakayama H. et al. // J. Phys.: Condens. Matt. 2016. V. 28. № 10. Article No. 103004.
Saitoh E., Ueda M., Miyajima H., Tatara S. // Appl. Phys. Let. 2006. V. 88. № 18. Article No. 182509.
Константинян К.И., Овсянников Г.А., Шадрин А.В. и др. // ФТТ. 2022. Т. 64. № 10. С. 1429.
Huang X., Sayed S., Mittelstaedt J. et al. // Adv. Mater. 2021. V. 33. Article No. 2008269.
Yoo M.-W., Tornos J., Sander A. et al. // Nature Comm. 2021. V. 12. P. 3283.
Perna P., Maccariello D., Ajejas F. et al. //Adv. Funct. Mater. 2017. V. 27. № 17. Article No. 1700664.
Ovsyannikov G.A., Shaikhulov T.A., Stankevich K.L. et al. // Phys. Rev. B 2020. V. 102. № 14. Article No. 144401.
Lee H.K., Barsukov I., Swartz A.G. et al. // AIP Advances. 2016. V. 6. № 5. Article No. 055212.
Овсянников Г.А., Константинян К.И, Калачев Е.А., Климов А.А. // Письма в ЖТФ. 2022. Т. 48. № 12. С. 44.
Tserkovnyak Ya., Brataas A., Bauer G.E.W. // Phys. Rev. Lett. 2002. V. 88. № 11. Article No. 117601.
Dubowik J., Graczyk P., Krysztofik A. et al. // Phys. Rev. Appl. 2020. V. 13. № 5. Article No. 054011.
Wang Y., Deorani P., Qiu X. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. № 15. Article No. 152412.
Nan T., Anderson T.J., Gibbons J. et al. // Proc. Nat. Acad. Sci. USA. 2019. V. 116. P. 6186.
Marmion S.R., Ali M., McLaren M. et al. // Phys. Rev. B. 2014. V. 89. № 22. Article No. 220404(R).
Константинян К.И., Ульев Г.Д., Овсянников Г.А. и др. // Труды XXVII Междунар. cимп. “Нанофизика и наноэлектроника”. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023. Т. 1. С. 221.