Фазовый состав, структура и магнитные свойства твердых растворов Cd1хZnхTe при малых концентрациях Zn

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Модифицированным методом Обреимова–Шубникова получены поликристаллические слитки Cd\(_{{1--{х}}}\)ZnхTe (x = 0.005, 0.03, 0.05). Отобранные монокристаллические блоки изучены методами рентгенофазового анализа, измерения электрических характеристик и магнитометрии. Исследована концентрационная зависимость изменения магнитных и электрических свойств кристаллов. Установлено, что при концентрации Zn (x = 0.03, 0.05) наблюдается ферромагнитное упорядочение в кластерах (включениях), содержащих железо и/или никель при 2 К, чего не наблюдается на образцах Cd\(_{{1--{х}}}\)ZnхTe (x = 0.005).

Об авторах

П. Л. Подкур

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН; МИРЭА – Российский технологический университет

Email: volch2862@gmail.com
Россия, Москва; Россия, Москва

И. С. Волчков

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН

Email: volch2862@gmail.com
Россия, Москва

М. Д. Павлюк

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН

Email: volch2862@gmail.com
Россия, Москва

В. Б. Кварталов

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН

Email: volch2862@gmail.com
Россия, Москва

Р. Б. Моргунов

Институт проблем химической физики РАН

Email: volch2862@gmail.com
Россия, Черноголовка

В. М. Каневский

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: volch2862@gmail.com
Россия, Москва

Список литературы

  1. Owens A., Peacock A. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2004. V. 531. P. 18. https://doi.org/10.1016/j.nima.2004.05.071
  2. Takeda S. Experimental study of a Si/CdTe semiconductor Compton camera for the next generation of gamma-ray astronomy / Ph. D. Thesis. University of Tokyo. 2009.
  3. Hubbell J.H., Seltzer S.M. Tables of X-Ray Mass Attenuation Coefficients and Mass Energy-Absorption Coefficients from 1 keV to 20 MeV for Elements Z = 1 to 92 and 48 Additional Substances of Dosimetric Interest // National Institute of Standards and Technology. 2004. NISTIR 5632. https://doi.org/10.18434/T4D01F
  4. Del Sordo S., Abbene L., Caroli E. et al. // Sensors. 2009. V. 9 № 5. P. 3491. https://doi.org/10.3390/s90503491
  5. Duarte D.D. Edge effects in a pixelated CdTe radiation detector / Ph. D. Thesis. University of Surrey. 2016. https://doi.org/10.13140/RG.2.2.20470.86081
  6. Chaouai Z., Daniel G., Martinez J.M. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2022. V. 1033. P. 166670. https://doi.org/10.1016/j.nima.2022.166670
  7. Clements N., Richtsmeier D., Hart A., Bazalova-Carter M. // J. Instrumentation. 2022. V. 17. P. 1004. https://doi.org/10.1088/1748-0221/17/01/P01004
  8. Brombal L., Donato S., Brun F. et al. // J. Synchrotron Radiat. 2018. V. 25. P. 1068. https://doi.org/10.1107/S1600577518006197
  9. Chen Y., Wang X., Song Q. et al. // AIP Adv. 2018. V. 8. P. 105113. https://doi.org/10.1063/1.5052027
  10. Krucker S., Benz A.O., Hurfordal G.J. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2013. V. 732. P. 295. https://doi.org/10.1016/j.nima.2013.05.050
  11. Krause L., Tolborg K., Gronbech T.B.E. et al. // J. Appl. Cryst. 2020. V. 53. P. 635. https://doi.org/10.1107/S1600576720003775
  12. Павлюк М.Д. Дис. “Детекторные кристаллы на основе CdTe и Cd1 – xZnxTe для прямого счета рентгеновских и гамма-квантов”… канд. физ.-мат. наук. М.: ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, 2020.
  13. Шалдин Ю.В., Вархульска И., Рабаданов М.Х., Комарь В.К. // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. С. 300.
  14. Raiss A.A., Sbai Y., Bahmad L., Benyoussef A. // J. Magn. Magn. Mater. 2015. V. 385. P. 295. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2015.02.077
  15. Goumrhar F., Bahmad L., Mounkachi O., Benyoussef A. // J. Magn. Magn. Mater. 2017. V. 428. P. 368. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2016.12.041
  16. Chavan K.T., Chandra S., Kshirsagar A. // Mater. Today Commun. 2022. V. 30. P. 103104. https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2021.103104
  17. Allahgholi A., Becker J., Delfs A. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2019. V. 942. P. 1. https://doi.org/10.1016/j.nima.2019.06.065
  18. Zerrai A., Cherkaoui K., Marrakchi G. et al. // J. Cryst. Growth. 1999. V. 197. P. 646. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00763-5
  19. Marbeuf A., Druilhe R., Triboulet R., Patriarche G. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 10. https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90707-P
  20. Аветисов И.Х. Дис. “Физико-химические основы технологии кристаллических халькогенидов кадмия и цинка с контролируемой стехиометрией” … д-ра физ.-мат. наук. М.: РХТУ им. Д.И. Менделеева, 2011.
  21. Косяченко А.А., Склярчук В.М., Склярчук О.В., Маслянчук О.Л. // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. С. 1323.
  22. Prokesch M., Szeles C. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 014503. https://doi.org/10.1063/1.2209192
  23. Кондрик А.И. // Функциональная микроэлектроника. 2004. № 6. С. 17.
  24. Pavlyuk M.D., Subbotin I.A., Kanevsky V.M., Artemov V.V. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 457. P. 112. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.06.046
  25. Ivanov Yu.M. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 194. P. 309. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00620-4
  26. Павлюк М.Д., Каневский В.М., Иванов Ю.М. // Журн. неорган. химии. 2013. Т. 58. С. 1082. https://doi.org/10.7868/S0044457X13080187
  27. Кондрик А.И., Ковтун Г.П. // Материалы электроники. 2019. № 4–5. С. 43. https://doi.org/10.15222/TKEA2019.5-6.43
  28. Ivanov Yu.M., Artemov V.V., Kanevsky V.M. et al. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. V. 27. P. 371. https://doi.org/10.1051/epjap:2004086
  29. Комарь В.К., Наливайко Д.П., Герасименко А.С. и др. // Поверхность. Рентген. синхротр. и нейтр. исследования 2002. Т. 3. С. 94.

Дополнительные файлы


© Российская академия наук, 2023